Logo
Unionpedia
Komunikasi
Temukan di Google Play
Baru! Ambil Unionpedia pada perangkat Android™ Anda!
Ambil
Akses lebih cepat ketimbang browser!
 

Pengendapan uap kimia dan Tantalum

Pintas untuk: Perbedaan, Kesamaan, Jaccard Kesamaan Koefisien, Referensi.

Perbedaan antara Pengendapan uap kimia dan Tantalum

Pengendapan uap kimia vs. Tantalum

Pengendapan uap kimia (bahasa Inggris: chemical vapor deposition, CVD) adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Tantalum adalah sebuah unsur kimia dengan lambang Ta dan nomor atom 73.

Kemiripan antara Pengendapan uap kimia dan Tantalum

Pengendapan uap kimia dan Tantalum memiliki 3 kesamaan (dalam Unionpedia): Karbon, Semikonduktor, Wolfram.

Karbon

Karbon (dari carbo "arang") atau zat arang adalah sebuah unsur kimia dengan lambang C dan nomor atom 6.

Karbon dan Pengendapan uap kimia · Karbon dan Tantalum · Lihat lebih »

Semikonduktor

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara isolator listrik dan konduktor listrik.

Pengendapan uap kimia dan Semikonduktor · Semikonduktor dan Tantalum · Lihat lebih »

Wolfram

Istilah tungsten berasal dari bahasa Swedia tung sten, yang berarti batu berat.

Pengendapan uap kimia dan Wolfram · Tantalum dan Wolfram · Lihat lebih »

Daftar di atas menjawab pertanyaan-pertanyaan berikut

Perbandingan antara Pengendapan uap kimia dan Tantalum

Pengendapan uap kimia memiliki 32 hubungan, sementara Tantalum memiliki 150. Ketika mereka memiliki kesamaan 3, indeks Jaccard adalah 1.65% = 3 / (32 + 150).

Referensi

Artikel ini menunjukkan hubungan antara Pengendapan uap kimia dan Tantalum. Untuk mengakses setiap artikel dari mana informasi itu diambil, silakan kunjungi:

Hei! Kami di Facebook sekarang! »